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通过PC软件操作界面运行,四探针低阻测量和接触电阻分析,自动生成报表,自动获得压力
量程:1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA,?
电阻率: 1×10-6~2×106Ω.cm、
电阻精度:≤0.3%
针低阻测量和接触电阻测试方法及要求;
分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV
参数资料
测量精度±(0.1%读数)
主机外形尺寸:330mm*340mm*120mm
国际标准分类中,四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。
工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz? 功 耗:<30W
电阻:1×10-5~2×105Ω
在中国标准分类中,四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
电源:220±10% 50HZ/60HZ
显示方式:液晶显示
测量电压量程:?2mV? 20mV? 200mV?2V?
四端测试法是目前较之测试方法,主要针对高精度要求之产品测试;本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
样品高度量程和精度:高度测量范围:0.001-10.001mm,测量分辨率0.001mm
本标准适用于侧量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量材底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围,10-* n·cm~10' Ω·cm。
概述:用于双极板材料本体电阻率和双极板与炭纸之间的接触电阻的测量和分析.
方块电阻范围:10-6~2×102Ω/□
电阻率范围:10-7~2×103Ω-cm
电脑和打印机依据客户要求配置;
工作电源:220±10% 50HZ/60HZ
温湿度范围:常温-50度;湿度:20%-98%
范围本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
电流输出:直流电流?0~1000mA?连续可调,由交流电源供电。
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
恒压时间:0-99.9S
测量误差±5%
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电导率单位自动选择,BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成图表和报表。
加压方式:自动
测试方式: 四探针测量(体电阻率)和四端法(接触电阻测量)
参照标准:GB/T 20042.6-2011质子交换膜燃料电池 第6部分:双极板特性测试方法中四探
标配标准件:a.标准校准电阻1个;b.标准高度校准件1个
分辨率: 醉小1μΩ
压力范围:0-1000kg(0-4MPa).
软件界面:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探
测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
标配外选购:
变化下电阻,电阻率和电导率的变化图谱,样品厚度测量,自动运算.统计分析.

电流精度:±0.1%读数
样品形状为正方形(镀金电极为5cm×5cm),面积为25cm2(其他规格定制)
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
标配:测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
误差:±0.2%读数±2字

电导率:5×10-6~1×108ms/cm
电阻测量范围:
针间距、厚度 、电导率、电阻率、压强等.
